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单晶硅棒、单晶硅片成品和主要原料

信息来源:nooeoo.com  时间:2008-12-23  浏览次数:271

  由于半导体技术不断向高集成度,高性能,低成本和系统化方向发展,半导体在国民经济各领域中的应用更加广泛。单晶硅片按使用性质可分为两大类:生产用硅片;测试用硅片。
  半导体元件所使用的单晶硅片系采用多晶硅原料再经由单晶生长技术所生产出来的。多晶硅所使用的原材料来自硅砂。目前商业化的多晶硅依外观可分为块状多晶与粒状多晶。多晶硅的品质规格:多晶硅按外形可分为块状多晶硅和棒状多晶硅;等级分为一、二、三级免洗料。多晶硅的检测:主要检测参数为电阻率、碳浓度、n型少数载流子寿命;外形主要是块状的大小程度;结构方面要求无氧化夹层;表面需要经过酸腐蚀,结构需致密、平整,多晶硅的外观应无色斑、变色,无可见的污染物。对于特殊要求的,还需要进行体内金属杂质含量的检测。
  单晶硅棒品质规格:单晶硅棒的主要技术参数型号p型或a型晶向电阻率0.0001ohm.cm-100ohm.cm电阻率均匀性位错密度无位错oisf密度氧含量根据客户要求碳含量主要考面取向密度根据客户要求其中电阻率、oisf密度、以及碳含量是衡量单晶硅棒等级的关键参数。这些参数在单晶成型后即定型,无法在此后的加工中进行改变。测试方法:电阻率:用四探针法。oisf密度:利用氧化诱生法在高温、高洁净的炉管中氧化,再经过腐蚀后观察其密度进行报数。碳含量:利用红外分光光度计进行检测。单晶硅抛光片品质规格:单晶硅抛光片的物理性能参数同硅单晶技术参数厚度200-1200um总厚度变化<10um弯曲度<35um翘曲度<35um单晶硅抛光片的表面质量:正面要求无划道、无蚀坑、无雾、无区域沾污、无崩边、无裂缝、无凹坑、无沟、无小丘、无刀痕等。背面要求无区域沾污、无崩边、无裂缝、无刀痕。
  

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