本文源自:金融界
金融界2024年10月18日消息，国家知识产权局信息显示，横店集团东磁股份有限公司申请一项名为“一种TBC太阳能电池的制备方法”的专利，公开号CN 118782688 A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种TBC太阳能电池的制备方法。本发明采用单层i‑poly‑Si层结合紫外激光氧化形成掩膜进行掺杂扩散得到TBC太阳能电池，全制备过程仅需一次i ‑poly Si沉积及次激光开槽，可避免多次i‑poly‑Si沉积引起的热应力分布不均匀导致产品性能和良品率降低等方面问题；同时一次激光开槽可减少对硅片的损伤，提升V oc；此外采用一次i‑poly‑Si沉积还可以大幅减少特气用量，降低生产成本。此外，本发明方法制得的TBC太阳能电池中，硅片背面的i‑poly‑Si层形成n+‑poly‑Si层高度基本一致，有助于后续电极层的制备，可进一步提高产品性能和良品率。
